磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型磁気ヘッド

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000340637
Publication number (International publication number)：2002150512
Application date： Nov. 08, 2000
Publication date： May. 24, 2002
Summary：

【要約】【課題】 GMR素子のCPP構成において、感度の向上を図る。【解決手段】少なくとも、外部磁界に応じて磁化が回転する自由層1と、固定層3と、この固定層3の磁化を固定する反強磁性層4と、自由層1と固定層3との間に介在される非磁性層2とが積層されたスピンバルブ構成による積層構造部10を有し、この積層構造部10に対し、そのほぼ積層方向、すなわち面方向と交叉例えば直交する方向をセンス電流の通電方向とし、その自由層1もしくは固定層3の少なくともいずれかを、膜厚1.9nm以下の薄膜層によって分断して複数の異相界面が形成された多層膜形態とすることによって伝導電子のスピン依存性散乱を高めれ感度の向上を図る。

Claim (excerpt)：

少なくとも、外部磁界に応じて磁化が回転する自由層と、固定層と、該固定層の磁化を固定する反強磁性層と、上記自由層と上記固定層との間に介在される非磁性層とが積層された積層構造部を有し、該積層構造部に対し、そのほぼ積層方向をセンス電流の通電方向とする磁気抵抗効果素子であって、上記自由層が、膜厚方向に、膜厚が1.9nm以下の薄膜層によって分断された多層膜形態として複数の異相界面が形成されて成ることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

G11B 5/39 , G01R 33/09 , H01F 10/26 , H01L 43/08

FI (4)：

G11B 5/39 , H01F 10/26 , H01L 43/08 Z , G01R 33/06 R

F-Term (14)：

2G017AA01 , 2G017AC01 , 2G017AD55 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034CA08 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049DB12 , 5E049DB18 , 5E049DB20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-275417 Applicant：株式会社東芝
強磁性トンネル接合磁気センサ、その製造方法、磁気ヘッド、および磁気記録/再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-060069 Applicant：富士通株式会社
磁気抵抗効果型素子及び磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-341037 Applicant：株式会社日立製作所

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