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J-GLOBAL ID：200903013170776569

透明導電性薄膜用ターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法、ディスプレイ用電極材料、有機エレクトロルミネッセンス素子

Inventor：
阿部 能之

About 阿部 能之


Applicant, Patent owner：
住友金属鉱山株式会社

About 住友金属鉱山株式会社


Agent (2)： 鴨田 朝雄 ,  鴨田 哲彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002330058
Publication number (International publication number)：2004052102
Application date： Nov. 13, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：
【課題】表面平滑性に優れ、比抵抗が6.0×10-4Ω・cm以下と低く、アニール処理による170°Cの加熱によっても表面平滑性と比抵抗の性質が変化せず、かつ透過率の高い透明導電性薄膜を提供する。【解決手段】スパッタリング後の薄膜が、酸化インジウムを主成分とし、タングステンおよび/またはモリブデンを(W+Mo)/In原子数比で0.0040〜0.0470の割合で含有するように、酸化インジウム粉末と酸化タングステン粉末を調合・成形し、該成形体を加熱・焼結することより得たターゲットを用いて、基板を120°C以下に維持してスパッタリング法により基板上に、非結晶の相から構成される透明導電性薄膜を作製する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
スパッタリング後の薄膜が、酸化インジウムを主成分とし、タングステンおよび/またはモリブデンを(W+Mo)/In原子数比で0.0040〜0.0470の割合で含有するように、酸化インジウム粉末と、酸化タングステン粉末および/または酸化モリブデン粉末を調合および成形し、該成形体を加熱および焼結することにより得ることを特徴とするタングステンおよび/またはモリブデンを含有する酸化インジウム焼結体からなる透明導電性薄膜用ターゲット。
IPC (5)：
C23C14/34 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28
FI (6)：
C23C14/34 A ,  C23C14/34 N ,  H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28
F-Term (26)：
3K007AB11 ,  3K007AB13 ,  3K007BA07 ,  3K007CA01 ,  3K007CA05 ,  3K007CA06 ,  3K007CB01 ,  3K007CC01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029BA31 ,  4K029BA45 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029DC01 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029EA08 ,  5G307FB01 ,  5G307FC06 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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