X線露光用マスクの製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999014099
Publication number (International publication number)：2000216075
Application date： Jan. 22, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】均一な膜厚および膜質を容易に得ること、光透過率および機械的強度を従来よりも向上させることを実現する。【解決手段】 Siの原料ガスとCの原料ガスと上記原料ガスを希釈するためのキャリアガスとの混合ガスを反応ガスとして用いたCVD法により、シリコン基板上にSiCの薄膜を形成する工程と、上記シリコン基板をエッチングすることにより、上記シリコン基板1からなる枠体とこの枠体に張設された上記薄膜からなる吸収体パタン支持用膜2とを同時に形成する工程とを有するX線露光用マスクの製造方法において、上記反応ガスに、HCl(塩化水素)をさらに添加することを特徴とするX線露光用マスクの製造方法。

Claim (excerpt)：

Siの原料ガスとCの原料ガスと前記原料ガスを希釈するためのキャリアガスとの混合ガスを反応ガスとして用いたCVD法により、シリコン基板上にSiCの薄膜を形成する工程と、前記シリコン基板をエッチングすることにより、前記シリコン基板からなる枠体とこの枠体に張設された前記薄膜からなる吸収体パタン支持用膜とを同時に形成する工程とを有するX線露光用マスクの製造方法において、前記反応ガスに、HCl(塩化水素)をさらに添加することを特徴とするX線露光用マスクの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 , G03F 1/16

FI (2)：

H01L 21/30 531 M , G03F 1/16 A

F-Term (8)：

2H095BA10 , 2H095BB25 , 2H095BC27 , 5F046GC04 , 5F046GD03 , 5F046GD05 , 5F046GD09 , 5F046GD16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

X線マスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-214300 Applicant：株式会社東芝
光学要素構成材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-230982 Applicant：日本ピラー工業株式会社
炭化珪素質複合材及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-170967 Applicant：日本ピラー工業株式会社

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