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J-GLOBAL ID：200903013320128943

高周波低損失磁性薄膜

Inventor：
白川 究

About 白川 究

, 
三寺 正雄

About 三寺 正雄

, 
村上 進

About 村上 進

, 
増本 健

About 増本 健


Applicant, Patent owner：
財団法人電気磁気材料研究所

About 財団法人電気磁気材料研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995263423
Publication number (International publication number)：1997074016
Application date： Sep. 05, 1995
Publication date： Mar. 18, 1997
Summary：
【要約】【目的】 本発明は高飽和磁束密度を有する磁性薄膜と絶縁薄膜との多層膜に関するもので、その目的とするところは、100MHz以上の高周波領域で損失の低い磁性薄膜を得ることにある。【構成】 磁性薄膜と絶縁薄膜を交互に積層する多層磁性薄膜において複素透磁率の実数部の実効値が450以上でかつ実数部と虚数部の比が100MHzで50以上又は200MHzで20以上を有することを特徴とする高周波低損失磁性薄膜およびそれを用いた高周波デバイス。
Claim (excerpt)：
磁性薄膜と絶縁薄膜を交互に積層する多層磁性薄膜において、複素透磁率の実数部の実効値が450以上で、かつ実数部と虚数部の比が100MHzで50以上または200MHzで20以上を有することを特徴とする高周波低損失磁性薄膜。
IPC (3)：
H01F 10/16 ,  H01F 17/04 ,  H01F 19/00
FI (3)：
H01F 10/16 ,  H01F 17/04 F ,  H01F 19/00 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (20)
  • マイクロ磁気素子磁心
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-041118   Applicant：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
  • 特開平4-211103
  • 特開平4-211103
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