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J-GLOBAL ID:200903013320128943
高周波低損失磁性薄膜
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995263423
Publication number (International publication number):1997074016
Application date: Sep. 05, 1995
Publication date: Mar. 18, 1997
Summary:
【要約】【目的】 本発明は高飽和磁束密度を有する磁性薄膜と絶縁薄膜との多層膜に関するもので、その目的とするところは、100MHz以上の高周波領域で損失の低い磁性薄膜を得ることにある。【構成】 磁性薄膜と絶縁薄膜を交互に積層する多層磁性薄膜において複素透磁率の実数部の実効値が450以上でかつ実数部と虚数部の比が100MHzで50以上又は200MHzで20以上を有することを特徴とする高周波低損失磁性薄膜およびそれを用いた高周波デバイス。
Claim (excerpt):
磁性薄膜と絶縁薄膜を交互に積層する多層磁性薄膜において、複素透磁率の実数部の実効値が450以上で、かつ実数部と虚数部の比が100MHzで50以上または200MHzで20以上を有することを特徴とする高周波低損失磁性薄膜。
IPC (3):
H01F 10/16
, H01F 17/04
, H01F 19/00
FI (3):
H01F 10/16
, H01F 17/04 F
, H01F 19/00 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (20)
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マイクロ磁気素子磁心
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-041118
Applicant:株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
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特開平4-211103
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特開平4-211103
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トランス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-190515
Applicant:株式会社東芝
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薄膜磁性体とその製法およびそれを用いたマイクロ磁気デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-290870
Applicant:株式会社日立製作所
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磁性多層膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-226487
Applicant:日本電信電話株式会社
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特開昭59-202614
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特開昭59-202614
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特開昭61-295606
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特開昭61-295606
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特開昭62-093915
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特開昭62-093915
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特開平4-211103
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特開昭59-202614
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特開昭61-295606
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特開昭59-202614
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特開昭61-295606
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特開昭62-093915
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