縦型有機トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：瀧野秀雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002159138
Publication number (International publication number)：2004006476
Application date： May. 31, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】高い動作速度と大電力化とを可能にすると共に、再現性良く大量に生産できるようにした縦型有機トランジスタを低コストで提供する。【解決手段】ソース電極2、第一の有機半導体層3、櫛状又はメッシュ状のゲート電極4、第二の有機半導体層5、及び、ドレイン電極6を順次有する縦型有機トランジスタにおいて、前記第一の有機半導体層3と前記第二の有機半導体層5との界面に電位障壁を形成するように、前記第一の有機半導体層3及び前記第二の有機半導体層5を互いに異なった有機半導体材料で構成する。前記「電位障壁」は、有機半導体材料のポテンシャルエネルギーの差によって生じる電位障壁であって、例えば、第一の有機半導体層3/第二の有機半導体層5を、それぞれ、同一の導電型の有機半導体材料で構成することによって形成することができるし、また、異なる導電型の有機半導体材料で構成することによっても形成することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ソース電極、第一の有機半導体層、櫛状又はメッシュ状のゲート電極、第二の有機半導体層、及び、ドレイン電極を順次有する縦型有機トランジスタにおいて、前記第一の有機半導体層と前記第二の有機半導体層との界面に電位障壁を形成するように、前記第一の有機半導体層及び前記第二の有機半導体層を互いに異なった有機半導体材料で構成したことを特徴とする縦型有機トランジスタ。

IPC (6)：

H01L29/80 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L51/00

FI (6)：

H01L29/80 V , H01L21/28 301B , H01L29/58 Z , H01L29/50 J , H01L29/44 P , H01L29/28

F-Term (36)：

4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104FF01 , 4M104FF11 , 4M104GG12 , 5F102FA00 , 5F102FA02 , 5F102FB01 , 5F102GB02 , 5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GL00 , 5F102GL08 , 5F102GS09 , 5F102GS10 , 5F102GT01 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102HC11 , 5F102HC30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

有機薄膜半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-058537 Applicant：パイオニア株式会社
有機エレクトロルミネセンスユニット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-099939 Applicant：パイオニア株式会社
有機薄膜トランジスタ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-345004 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション

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