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J-GLOBAL ID：200903013325481676

窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体素子

Inventor： 松山裕司 ,  鈴木真二 ,  伊勢康介 ,  道上敦生 ,  米田 章法
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (2)： 小野 由己男 ,  堀川 かおり
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005046577
Publication number (International publication number)：2006066869
Application date： Feb. 23, 2005
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：

【課題】広範囲の波長帯において、窒化物半導体層の組成分布、例えば、活性層の結晶性やIn含有量を均一にして、寿命特性及び素子特性が一層優れた素子を提供することを目的とする。【解決手段】窒化物半導体基板の主面上に第1導電型の窒化物半導体層と、活性層と、第1導電型とは異なる導電型をした第2導電型の窒化物半導体層と、前記第2導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって、前記窒化物半導体基板1の主面には、基準結晶面に対して、少なくとも前記ストライプ状のリッジ部と略平行方向に、オフ角a(θa)を有しているか、あるいは、このオフ角a(θa)と略垂直方向にオフ角b(θb)とを有している窒化物半導体レーザ素子。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

窒化物半導体基板の主面上に第1導電型の窒化物半導体層と、Inを含有する活性層と、第1導電型とは異なる導電型をした第2導電型の窒化物半導体層と、前記第2導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって、 前記窒化物半導体基板の主面は、基準結晶面に対して、少なくとも前記ストライプ状のリッジ部と略平行方向に、オフ角a(θa)を有していることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (1)：

H01S 5/22

FI (1)：

H01S5/22

F-Term (11)：

5F173AA05 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP05 ,  5F173AP19 ,  5F173AP24 ,  5F173AQ02 ,  5F173AR23 ,  5F173AR93 ,  5F173AR96

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-192721   Applicant：三洋電機株式会社

Cited by examiner (4)

• 窒化物半導体レーザ素子、その製造方法および半導体光学装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-330181   Applicant：シャープ株式会社, 住友電気工業株式会社
• III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-225342   Applicant：日本電気株式会社
• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-331139   Applicant：京セラ株式会社
• III族窒化物系化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-284859   Applicant：豊田合成株式会社