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J-GLOBAL ID：200903075868168337

発光ダイオード

Inventor：
堂本 千秋

About 堂本 千秋


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001331139
Publication number (International publication number)：2003133587
Application date： Oct. 29, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：
【要約】【課題】光の取り出し効率を向上させることが可能な高輝度の発光ダイオードを提供する。【解決手段】単結晶基板1の一主面に一導電型半導体層2及び逆導電型半導体層3を順次積層するとともに、該逆導電型半導体層3上に一方の電極4を、単結晶基板1の他主面に金属から成る他方の電極5を被着させてなる発光ダイオードにおいて、前記単結晶基板1の他主面に、断面形状が略V字状の凹部6を、例えば、400個/mm2〜40000個/mm2の密度で多数、形成する。
Claim (excerpt)：
単結晶基板の一主面に一導電型半導体層及び逆導電型半導体層を順次積層するとともに、該逆導電型半導体層上に一方の電極を、前記単結晶基板の他主面に金属から成る他方の電極を被着させてなる発光ダイオードにおいて、前記単結晶基板の他主面に、断面形状が略V字状の凹部を多数、形成したことを特徴とする発光ダイオード。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301
FI (3)：
H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 R
F-Term (17)：
4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB13 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104GG04 ,  5F041AA03 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA39 ,  5F041CA75 ,  5F041CA99 ,  5F041CB15 ,  5F041EE23 ,  5F041FF11 ,  5F041FF13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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