Pat
J-GLOBAL ID：200903085611903856

III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体素子の製造方法

Inventor：
山口 敦史

About 山口 敦史


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002225342
Publication number (International publication number)：2004071657
Application date： Aug. 01, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：
【課題】III族窒化物半導体基板の(000-1)面上に、剥離しにくく、かつ低抵抗な電極を備えたIII族窒化物半導体素子を実現する。【解決手段】n型GaN基板101の(000-1)面上に、エッチングすることにより、(000-1)面以外の結晶面が露出したファセット面を有する突起部113を設ける。その後、Ti、Alをn型GaN基板101の(000-1)面上に蒸着させ、熱処理を行う。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
III族窒化物半導体基板と、該III族窒化物半導体基板の主面上に設けられたIII族窒化物半導体からなる能動素子部とを備えたIII族窒化物半導体素子であって、前記III族窒化物半導体基板は裏面に突起部を有し、該突起部を覆うように電極層が設けられたことを特徴とするIII族窒化物半導体素子。
IPC (7)：
H01S5/323 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/41 ,  H01L33/00 ,  H01S5/042
FI (8)：
H01S5/323 610 ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/308 C ,  H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01S5/042 614 ,  H01L21/302 105A ,  H01L29/44 L
F-Term (39)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB15 ,  4M104CC01 ,  4M104DD24 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB19 ,  5F004EA37 ,  5F004EB02 ,  5F004EB08 ,  5F041AA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB11 ,  5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043DD07 ,  5F043FF10 ,  5F043GG04 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM