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J-GLOBAL ID：200903013359692455

半導体装置

Inventor：
寺口 信明

About 寺口 信明


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (3)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  廣瀬 峰太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004347095
Publication number (International publication number)：2006156816
Application date： Nov. 30, 2004
Publication date： Jun. 15, 2006
Summary：
【課題】 半導体のヘテロ構造を含むにも拘らず、ゲート電圧が印加されていない状態では電流が流れないノーマルオフタイプのトランジスタなどの半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置1のチャネル層13に接して設けられるバリア層14を、チャネル層13を構成する半導体材料のa軸格子定数a1以上のa軸格子定数a2を有し、かつチャネル層13を構成する半導体材料のバンドギャップEg1よりも大きいバンドギャップEg2を有する半導体材料で形成し、バリア層14に接するようにピエゾ効果材層15を設け、ピエゾ効果材層15のバリア層14に接する側と反対側にゲート電極18を設ける。これによって、ゲート電圧がゼロの場合にはドレイン電流が流れず、ゲート電極18に電圧を印加すると、ピエゾ効果材層15が変形してバリア層14に応力が印加され、ドレイン電流が流れる状態となるノーマルオフタイプのトランジスタ1が得られる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1半導体層と、第1半導体層に接して設けられる第2半導体層とを備える半導体装置であって、 第1半導体層と第2半導体層とは、下記式(1)および(2)の関係を満足し、 a1≦a2 ...(1) Eg1 IPC (6)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (7)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 617S ,  H01L29/78 617T
F-Term (58)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA09 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F140AA00 ,  5F140AA02 ,  5F140AA39 ,  5F140AC28 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BD04 ,  5F140BD13 ,  5F140BE05 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BG30 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (8)
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