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J-GLOBAL ID：200903099418214750

ヘテロ接合電界効果トランジスタ

Inventor： 山田 朋幸 ,  槇田 毅彦
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002044515
Publication number (International publication number)：2003243424
Application date： Feb. 21, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】 表面を平坦な状態とし、表面がグレイン状となることに起因する特性劣化を生じないヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 基板上に、少なくとも、低温バッファ層、チャネル層、スペーサー層、電子供給層が順次形成された半導体素子であって、前記電子供給層上に、さらに、キャップ層が形成されており、該キャップ層の格子定数が、前記チャネル層の格子定数と略同一であり、前記スペーサー層および前記電子供給層の格子定数とは異なることを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタである。

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくとも、低温バッファ層、チャネル層、スペーサー層、電子供給層が順次形成された半導体素子であって、前記電子供給層上に、さらに、キャップ層が形成されており、該キャップ層の格子定数が、前記チャネル層の格子定数と略同一であり、前記スペーサー層および前記電子供給層の格子定数とは異なることを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

F-Term (17)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化物系化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-341825   Applicant：シャープ株式会社, 学校法人立命館