Pat
J-GLOBAL ID：200903013453723623

精細パタ-ンが形成された反射接触部を備える発光素子及びその製造方法

Inventor：
スティーブン・ディー・レスター

About スティーブン・ディー・レスター


Applicant, Patent owner：
ヒューレット・パッカード・カンパニー

About ヒューレット・パッカード・カンパニー


Agent (1)： 上野 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999231279
Publication number (International publication number)：2000091639
Application date： Aug. 18, 1999
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：
【要約】【課題】十分な光度を有する均一な発光が可能な発光素子を提供する。【解決手段】発光素子は、n型層(12)及びp型層(16)のそれぞれに対応して設けられる接触部(18,20)を有する。頂面に位置する接触部(20)には、エッチング処理、アニール等の方法によってパターンを成す開口部が形成される。発光素子の発光層から出る光は、接触部(20)の開口部を通して外部に取り出されるので、発光素子からの均一な発光が保証される。
Claim (excerpt)：
n型層、p型層、及び前記n型層と前記p型層の間に介在し、可視光λを発光する働きをする発光層を含む、AlInGaNデバイスであるヘテロ接合デバイスと、一方が前記n型層に接続されたn型層接触部であり、もう一方が前記p型層に接続されたp型層接触部である、導電性材料による2つの接触部とを有し、前記2つの接触部の少なくとも一方に、最小寸法が1/4λの、パターンを成す開口部が含まれており、該開口部を通して光を発光することが可能であることを特徴とする発光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 半導体発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-135220   Applicant：旭化成工業株式会社
  • 半導体発光素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-243232   Applicant：信越半導体株式会社
  • 半導体発光素子及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-270484   Applicant：信越半導体株式会社
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