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J-GLOBAL ID：200903013522156701
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置及び磁気記憶装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松山 允之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001088448
Publication number (International publication number)：2002289944
Application date： Mar. 26, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：
【要約】【課題】 記録密度を高めるため狭トラック化が進むとバイアス印加膜の間隔が狭くなり、バイアス磁界が強くかかりすぎるため素子の感度が低下してしまう。またGMR膜の各層の抵抗が異なるため、垂直に通電する場合に層構成により電流分布が変わるため、出力が変動してしまうという問題が発生する。【解決手段】 磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を通電するための電極の少なくとも一方の幅がバイアス印加膜の間隔よりも狭くなるように構成する。バイアス印加膜近傍の磁気抵抗効果膜部分ではバイアス印加膜からの強いバイアス磁界のため感度が低くなってしまうが、その部分を避け内側の感度の高い部分にのみ電極を設けているために高い感度が実現できる。磁気抵抗効果膜の上下に設置された電極はピラー形状をなすことでセンス電流を絞ることができ、前記感度の高い部分にのみセンス電流を通電させることができる。
Claim (excerpt)：
磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜と第1の幅で接触する接触面を有する第1の電極と、前記接触面とは反対側の前記磁気抵抗効果膜の表面に電気的に接続された第2の電極と、前記接触面の幅よりも広い間隔で離間して形成され、前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略平行な方向にバイアス磁界を印加する一対のバイアス印加膜と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 27/105
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, G01R 33/06 R
, H01L 27/10 447
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AC09
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA08
, 5D034BA12
, 5D034BB08
, 5D034CA04
, 5D034CA08
, 5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083GA27
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA56
, 5F083JA60
, 5F083PR03
, 5F083PR40
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