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J-GLOBAL ID：200903013663414860

プラズマ成膜装置,プラズマ成膜方法,半導体装置の製造方法,液晶表示装置の製造方法及び有機EL素子の製造方法

Inventor： 大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  後藤 哲也 ,  田中 宏明
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘 ,  東京エレクトロン株式会社
Agent (3)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003325301
Publication number (International publication number)：2005093737
Application date： Sep. 17, 2003
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：

【課題】 低温かつ短時間で良質の膜を形成できる基板のプラズマ成膜装置を提供する。【解決手段】 プラズマ成膜装置1の処理容器2内のシャワープレート11と載置台3との間に,外形が略平板状の原料ガス供給構造体40を設ける。この原料ガス供給構造体40によって,処理容器2内がプラズマ励起領域R1とプラズマ拡散領域R2に区画される。原料ガス供給構造体40は,格子状に配置された原料ガス供給管41により形成されており,その隙間が開口部42になっている。原料ガス供給構造体40の開口部42は,プラズマ励起領域R1で発生したプラズマが25%以上通過するように形成されている。この結果,基板W上には,成膜のためのラジカルやイオン又はそのラジカルなどが有するエネルギが効率的に供給され,基板W上に低温かつ短時間で良質の膜を形成できる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上にプラズマを用いて成膜するプラズマ成膜装置であって, 基板を収容し処理する処理容器と, 前記処理容器内において基板を載置する載置部と, 前記載置部に載置された基板に対向する位置に設けられ,前記処理容器内にプラズマ発生用の高周波を供給する高周波供給部と, 前記高周波供給部と前記載置部との間に設けられ,前記高周波供給部から前記載置台までの領域を前記高周波供給部側の領域と前記載置部側の領域に区画し,さらに前記高周波供給部から供給された高周波が前記載置部側の領域に進入するのを抑制する略平板型の構造体と, 前記高周波供給部側の領域にプラズマガスを供給するプラズマガス供給部と,を備え, 前記構造体には,前記載置部側の領域に膜の原料ガスを供給する複数の原料ガス供給口と,前記高周波供給部側の領域で生成されたプラズマが前記載置部側の領域に通過する複数の開口部が形成され, 前記複数の開口部は,前記プラズマの通過率が25%以上になるように形成されていること特徴とする,プラズマ成膜装置。

IPC (2)：

H01L21/31 ,  C23C16/511

FI (2)：

H01L21/31 C ,  C23C16/511

F-Term (29)：

4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA15 ,  4K030KA17 ,  4K030LA18 ,  5F045AA09 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC15 ,  5F045AD05 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045BB07 ,  5F045BB09 ,  5F045DP03 ,  5F045EH02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• プラズマ処理装置および半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-094273   Applicant：大見忠弘, 東京エレクトロン株式会社

Cited by examiner (1)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-094274   Applicant：大見忠弘, 東京エレクトロン株式会社