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J-GLOBAL ID:200903013676051236
積層セラミック電子部品
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
菅原 正倫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001351097
Publication number (International publication number):2003151851
Application date: Nov. 16, 2001
Publication date: May. 23, 2003
Summary:
【要約】【課題】 セラミックグリーンシートの多層化及び薄型化に拘わらず、反り等の不具合が生じにくい積層セラミック部品を提供する。【解決手段】 積層セラミック電子部品40は、誘電体セラミック層5と配線パターン層6とが交互に積層されるとともに、前記誘電体セラミック層5を隔てて対向する配線パターン層6a,6bが、該誘電体セラミック層5を貫くビア電極8,8’により電気的に接続される。ビア電極8,8’と配線パターン層6a,6bはいずれもAg、Au、Ni、Cu、Pt及びPdから選ばれる1種又は2種以上を主成分とする金属にて構成される。配線パターン層6a,6bは、平均粒径が500nm以下の無機化合物粒子が上記金属からなる金属相中に分散した組織を有する一方、ビア電極8,8’の、当該ビア電極8,8’により接続される配線パターン層の対向面間に位置する部分が少なくとも、無機化合物粒子を含有しない金属相のみからなる。
Claim (excerpt):
誘電体セラミック層により絶縁された、対向する一対の配線パターン層を有し、該配線パターン層を、該誘電体セラミック層を貫いて形成されたビア電極に、1層おきに電気的に接続してなるコンデンサ層を1又は2以上備える積層セラミック電子部品であって、前記配線パターン層は、平均粒径が500nm以下の無機化合物粒子が金属相中に分散した組織を有し、前記ビア電極は、少なくとも当該ビア電極に接続される配線パターン層から伸びる仮想の延長帯と交差する部分以外の部分は、前記無機化合物粒子を含有しない金属相のみからなることを特徴とする積層セラミック電子部品。
IPC (2):
H01G 4/30 301
, H01G 4/12 361
FI (2):
H01G 4/30 301 C
, H01G 4/12 361
F-Term (14):
5E001AB03
, 5E001AF03
, 5E001AF06
, 5E082AA01
, 5E082AB03
, 5E082BC38
, 5E082EE04
, 5E082EE35
, 5E082FG06
, 5E082FG26
, 5E082JJ03
, 5E082JJ12
, 5E082JJ15
, 5E082PP09
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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積層コンデンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-374828
Applicant:ティーディーケイ株式会社
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特開平2-005306
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積層セラミック電子部品の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-212629
Applicant:株式会社村田製作所
-
受動部品内蔵多層配線基板およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-006036
Applicant:松下電器産業株式会社
-
セラミツク多層配線基板およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-218336
Applicant:松下電器産業株式会社
-
セラミックコンデンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-227867
Applicant:京セラ株式会社
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Cited by examiner (3)
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積層コンデンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-374828
Applicant:ティーディーケイ株式会社
-
特開平2-005306
-
積層セラミック電子部品の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-212629
Applicant:株式会社村田製作所
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