炭化珪素単結晶製造方法及び炭化珪素単結晶製造装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：伊藤洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999294468
Publication number (International publication number)：2001114598
Application date： Oct. 15, 1999
Publication date： Apr. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】炭化珪素単結晶の成長表面をフラットに保ったまま長尺成長できるようにし、かつ亀裂欠陥を発生させないようにする。【解決手段】種結晶貼付部材12と種結晶貼付部材12の突出部12aの周囲を囲む多結晶成長部材13とによって蓋材11が構成される黒鉛製るつぼ1を用意する。そして、突出部12aの表面12bに種結晶3を取付け、炭化珪素原料2を昇華させて種結晶3の成長表面に炭化珪素原料ガスを供給する。これにより、炭化珪素単結晶4が成長すると共に、多結晶成長部材13の表面13cに炭化珪素単結晶4と同等の高さとなる多結晶6が成長する。このように、炭化珪素単結晶4が多結晶6に埋め込まれるような状態で成長させると、炭化珪素単結晶4の成長表面の温度分布がほぼ均一となり、炭化珪素単結晶4の成長表面をフラットに保ったまま長尺化でき、かつ亀裂欠陥を発生させないようにできる。

Claim (excerpt)：

種結晶貼付部(12a)と該種結晶貼付部の周囲を囲む周縁部(12c、13)とが所定面に配設されてなるるつぼ(1)を用意し、前記種結晶貼付部の表面(12b)に種結晶(3)を取付ける工程と、前記るつぼ内の成長空間に炭化珪素原料ガスを導入し、前記種結晶の成長表面上に炭化珪素単結晶(4)を成長させると共に、前記周縁部の表面(13c)に前記炭化珪素単結晶と同等の高さとなるように多結晶(6)を成長させ、前記多結晶に囲まれて埋め込まれた状態で前記炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

F-Term (9)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DA02 , 4G077ED01 , 4G077EG02 , 4G077EG11 , 4G077EG20 , 4G077EG25 , 4G077HA12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-321052 Applicant：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
大口径炭化珪素単結晶インゴツトの作製方法および種結晶用炭化珪素単結晶
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-036150 Applicant：新日本製鐵株式会社
単結晶成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-120637 Applicant：株式会社豊田中央研究所

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Cited by examiner (4)

単結晶の製造方法
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-120637 Applicant：株式会社豊田中央研究所

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