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J-GLOBAL ID：200903013775054972

ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物

Inventor：
清水 宏明

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中村 剛

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太宰 尚宏

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塩野 大寿

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平野 智之

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Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

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Agent (4)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009027467
Publication number (International publication number)：2009223300
Application date： Feb. 09, 2009
Publication date： Oct. 01, 2009
Summary：
【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、一般式-CH2C(R1)-[-C(=O)-O-A-C(=O)-O-B-C(=O)-O-R2][式中、R1は水素原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基であり、Aは2価の連結基であり、Bは2価の連結基であり、R2は酸解離性溶解抑制基である。]で表される構成単位(a0)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、 前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/28
FI (4)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/28
F-Term (32)：
2H025AA03 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA40R ,  4J100BB18R ,  4J100BC02P ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC53Q ,  4J100CA05 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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