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J-GLOBAL ID：200903051920765032

新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 大橋 正樹 ,  大澤 洋一 ,  渡辺 武 ,  金生 剛
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008219101
Publication number (International publication number)：2009080474
Application date： Aug. 28, 2008
Publication date： Apr. 16, 2009
Summary：

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、EUV、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式(1a)又は(1c)のいずれかで示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。R1-COOCH(CF3)CF2SO3- H+ (1a)R1-O-COOCH(CF3)CF2SO3- H+ (1c)(R1はステロイド骨格を有する炭素数20〜50の炭化水素基を示す。)【効果】本発明の光酸発生剤は、レジスト材料中の樹脂類との相溶性がよく、酸拡散制御を行うことができる。また、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

紫外線、遠紫外線、電子線、EUV、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式(1a)又は(1c)のいずれかで示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。 R1-COOCH(CF3)CF2SO3- H+ (1a) R1-O-COOCH(CF3)CF2SO3- H+ (1c) (式中、R1はステロイド骨格を有する炭素数20〜50の炭化水素基を示す。)

IPC (5)：

G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/075 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027

FI (6)：

G03F7/004 503A ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/075 511 ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 502R

F-Term (59)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BF08 ,  2H025BF11 ,  2H025BF15 ,  2H025BF29 ,  2H025BF30 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096CA06 ,  2H096DA10 ,  2H096EA02 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096GA09 ,  4C091AA02 ,  4C091BB01 ,  4C091BB06 ,  4C091CC01 ,  4C091DD01 ,  4C091EE05 ,  4C091EE07 ,  4C091FF01 ,  4C091GG01 ,  4C091GG02 ,  4C091GG13 ,  4C091HH01 ,  4C091JJ03 ,  4C091KK01 ,  4C091LL01 ,  4C091LL02 ,  4C091LL09 ,  4C091MM03 ,  4C091NN01 ,  4C091PA02 ,  4C091PA05 ,  4C091PB04 ,  4C091PB05 ,  4C091QQ01 ,  4C091RR10 ,  4C091SS01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

• フォトレジスト組成物、その方法及びそれらを含有してなる工業製品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-252064   Applicant：シップレーカンパニーエルエルシー
• 化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-311244   Applicant：住友化学株式会社
• 感光性耐食膜組成物および方法ならびに同組成物を含む工業製品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-043762   Applicant：シプレイ・カンパニー・リミテッド・ライアビリティー・カンパニー
• ポジ型感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-132546   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-239633   Applicant：信越化学工業株式会社
• 米国特許第2002/0197558号明細書
  
• 光感応性酸発生剤およびそれらを含むフォトレジスト
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-545309   Applicant：ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.
• 酸発生剤、スルホン酸、スルホン酸誘導体および感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-189133   Applicant：JSR株式会社
• 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-349976   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-093303   Applicant：信越化学工業株式会社