ラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006206233
Publication number (International publication number)：2008031298
Application date： Jul. 28, 2006
Publication date： Feb. 14, 2008
Summary：

【解決手段】式(1)で示されるラクトン含有化合物。(R4はH又はCO2R5。R5はハロゲン原子又は酸素原子を有していてもよい1価炭化水素基。WはCH2、O又はS。)【効果】機能性材料、医薬・農薬等の原料として有用で、中でも波長500nm以下の放射線に対して優れた透明性を有し、感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための単量体として有用である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示されるラクトン含有化合物。

IPC (5)：

C08F 20/26 , G03F 7/039 , H01L 21/027 , C07D 307/00 , C07D 493/08

FI (5)：

C08F20/26 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R , C07D307/00 , C07D493/08 A

F-Term (38)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CB13 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025FA17 , 4C037AA02 , 4C071AA03 , 4C071AA07 , 4C071BB01 , 4C071BB05 , 4C071CC12 , 4C071EE05 , 4C071FF15 , 4C071HH05 , 4C071HH09 , 4C071LL05 , 4J100AL08P , 4J100BA11P , 4J100BA15P , 4J100BB18P , 4J100BC04P , 4J100BC09P , 4J100BC53P , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平4-39665号公報
レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-312722 Applicant：富士通株式会社
エステル化合物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-138090 Applicant：信越化学工業株式会社

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Cited by examiner (6)

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-037770 Applicant：富士写真フイルム株式会社
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-333504 Applicant：富士写真フイルム株式会社
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-068172 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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