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J-GLOBAL ID：200903013820512499

プラズマエッチング装置

Inventor：
広瀬 圭三

About 広瀬 圭三


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999129696
Publication number (International publication number)：2000323460
Application date： May. 11, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：
【要約】【課題】 より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマエッチング処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくしてプラズマ密度を均一化することが可能であり、エッチングレート分布が均一なプラズマエッチング装置を提供すること。【解決手段】 被処理基板Wが収容されるチャンバー2内に相対向するように第1および第2の電極21,5を配置し、第2の電極5に被処理基板Wを支持させた状態で、高周波電源40から第1の電極21に27MHz以上の周波数の高周波を印加し、直流電源43から第1の電極21に直流電圧を印加し、第1および第2の電極間に高周波電界を形成することにより処理ガスのプラズマを形成し、このプラズマにより被処理基板Wにプラズマエッチング処理を施す。
Claim (excerpt)：
被処理基板が収容されるチャンバーと、チャンバー内に相対向するように設けられた第1および第2の電極と、前記第1の電極に27MHz以上の周波数の高周波を印加する高周波印加手段と、前記第1の電極に直流電圧を印加する直流電圧印加手段と、前記チャンバー内を所定の減圧状態に維持する排気手段と、前記チャンバー内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段とを具備し、前記第2の電極に被処理基板を支持させた状態で、前記第1および第2の電極間に高周波電界を形成することにより処理ガスのプラズマを形成し、このプラズマにより被処理基板にプラズマエッチング処理を施すことを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (3)：
H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 M
F-Term (59)：
4K057DA02 ,  4K057DA13 ,  4K057DA20 ,  4K057DB06 ,  4K057DD03 ,  4K057DE06 ,  4K057DE07 ,  4K057DE08 ,  4K057DE14 ,  4K057DM01 ,  4K057DM02 ,  4K057DM05 ,  4K057DM06 ,  4K057DM08 ,  4K057DM09 ,  4K057DM16 ,  4K057DM17 ,  4K057DM18 ,  4K057DM19 ,  4K057DM31 ,  4K057DM33 ,  4K057DM37 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  4K057DN02 ,  5F004AA00 ,  5F004AA01 ,  5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BB30 ,  5F004BC08 ,  5F004BD03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB00 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB04 ,  5F004DB05 ,  5F004DB06 ,  5F004DB13 ,  5F004DB14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-265448   Applicant：株式会社日立製作所
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-113587   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
  • 真空容器内の加熱方法及び加熱機構
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-044883   Applicant：キヤノン株式会社

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