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J-GLOBAL ID：200903013849795473

レーザ熱処理方法、レーザ熱処理装置および半導体デバイス

Inventor： 小川 哲也 ,  時岡 秀忠 ,  佐藤 行雄 ,  井上 満夫 ,  笹川 智広 ,  宮坂 光敏
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999063107
Publication number (International publication number)：2000260731
Application date： Mar. 10, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 優れた結晶性の多結晶薄膜を形成する。【解決手段】 線状ビームプロファイルに成形したパルス発振のNd:YAGレーザ第2高調波を非晶質または多結晶珪素膜に照射し、レーザ熱処理を行う。

Claim (excerpt)：

波長が350nm以上800nm以下であるパルスレーザ光源により発生されるレーザビームを線状ビームに成形して、基板あるいは絶縁膜に覆われた基板上に形成された、基板上膜材料に照射することを特徴とするレーザ熱処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20

FI (3)：

H01L 21/268 G ,  H01L 21/268 F ,  H01L 21/20

F-Term (9)：

5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA10 ,  5F052DB02 ,  5F052JA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-056481   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-040523   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多結晶薄膜の形成方法及び薄膜半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-325177   Applicant：松下電器産業株式会社
• 薄膜製造方法およびその製造装置ならびに薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-211149   Applicant：株式会社東芝