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J-GLOBAL ID：200903013864119352

積層体の製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor：
宇都宮 純夫

About 宇都宮 純夫


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001014351
Publication number (International publication number)：2002217390
Application date： Jan. 23, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：
【要約】【課題】基板上に順次、層や領域を形成する、従来の半導体装置などの積層体の製造方法は、高温処理などの過激な条件下で行う工程を含むため、例えば、積層体が配置される基板や積層体に含まれる部材は制限されることがある。そこで、様々な基板や部材を含む積層体の製造に適用できる積層体の製造方法を提供する。【解決手段】第1の基板上に順次、第1の分離層、中間層及び被転写体を形成し、前記被転写体と第2の基板上に形成された第2の分離層とを第1の接着層を介して接着する。次に前記第1の分離層に対して光照射を行うことにより、前記第1の分離層における剥離を誘起して、前記第1の基板を脱離させる。次に第3の基板と前記中間層とを第2の接着層を介して接着する。次に前記第2の分離層に対して光照射を行い、前記第2の分離層における剥離を誘起し、前記第2の基板を脱離させる。
Claim (excerpt)：
第1の分離層を含む第1の基材上に、第2の基材を配置する工程と、前記第2の基材と、第2の分離層を含む第3の基材と、を接着する工程と、光照射を行うことにより、前記第1分離層の層内及び前記第1の分離層と接する他の層との境界面のうち少なくともいずれかで、剥離を生ぜしめ、前記第2の基材及び前記第3の基材を含む第1の積層体を分離させる工程と、前記第1の積層体と第4の基材とを接着し、第2の積層体を得る工程と、光照射を行うことにより、前記第2の分離層の層内及び前記第2の分離層と接する他の層との境界面のうち少なくともどちらかで、剥離を生ぜしめ、前記第2の分離層を境界として、前記第2の積層体を分割する工程と、を含む積層体の製造方法。
IPC (4)：
H01L 27/12 ,  B81C 1/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3)：
H01L 27/12 B ,  B81C 1/00 ,  H01L 29/78 627 D
F-Term (12)：
5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110QQ17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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