半導体基板

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 石田悟
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003338152
Publication number (International publication number)：2005109020
Application date： Sep. 29, 2003
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】デバイスの作製に好適な半導体基板を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体基板16の基板は、GaAsで構成されている。そして、その表面には、GaSbで構成された、アスペクト比が2以上5以下である略楕円形状の量子リング14が複数形成されている。そして、これら複数の量子リング14は略同一方向に沿って延在している。この半導体基板16の表面に光を照射した場合、その照射光の偏光のうち、量子リング14の延在方向である楕円の長軸方向に平行な偏光は反射され、短軸方向に平行な偏光は透過する。すなわち、半導体基板16は、一方の偏光成分を反射し、他方の偏光成分を透過する。なお、アスペクト比が1に近い略真円形状の量子リングを有する従来の半導体基板では、このような偏光成分の分離を実現することができなかった。従って、半導体基板16は、従来の半導体基板では困難であった偏光デバイスへの応用に好適なものである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の化合物半導体で構成され、且つ、該第1の化合物半導体とは異なる第2の化合物半導体で構成された複数の量子リングが表面に形成された半導体基板であって、前記各量子リングはアスペクト比が2以上5以下の略楕円形状を有し、前記複数の量子リングは略同一方向に延在している、半導体基板。

IPC (2)：

H01L29/06 , G02B5/30

FI (2)：

H01L29/06 601D , G02B5/30

F-Term (3)：

2H049BA05 , 2H049BA45 , 2H049BB42

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

偏光光学素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-249862 Applicant：住友化学工業株式会社
ワイヤーグリッド型偏光光学素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-249864 Applicant：住友化学工業株式会社

Cited by examiner (2)

偏光光学素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-249862 Applicant：住友化学工業株式会社
ワイヤーグリッド型偏光光学素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-249864 Applicant：住友化学工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

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