記憶素子及びメモリ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：角田芳末 , 磯山弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005116128
Publication number (International publication number)：2006295001
Application date： Apr. 13, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：

【課題】スピン注入効率を向上することにより、書き込みに要する電流値を低減することができる記憶素子を提供する。【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17に対して、中間層16を介して磁化固定層31が設けられ、中間層16が酸化マグネシウムから成り、積層方向に電流を流すことにより記憶層17の磁化M1の向きが変化して、記憶層17に対して情報の記録が行われ、記憶層17又は磁化固定層31を構成する強磁性層17,13,15のうち少なくとも一層が、A2BC型ホイスラー合金から成る記憶素子3を構成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、前記記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられ、前記中間層が、酸化マグネシウムから成り、積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われ、前記記憶層又は前記磁化固定層を構成する強磁性層のうち少なくとも一層が、A2BC型ホイスラー合金から成ることを特徴とする記憶素子。

IPC (12)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 29/82 , C22C 9/00 , C22C 19/00 , C22C 19/07 , H01F 10/16 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , H01F 41/18

FI (12)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L43/10 , H01L29/82 Z , C22C9/00 , C22C19/00 H , C22C19/07 C , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01F41/18

F-Term (13)：

5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA25 , 5E049DB14 , 5E049GC01 , 5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-203934 Applicant：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー
米国特許公開第2004/0027853号明細書

Cited by examiner (4)

磁気セル及び磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-396201 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子、磁気メモリ、及び磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-311497 Applicant：株式会社東芝
ホイスラー磁性層と体心立方構造の非磁性中間層を積層した磁気抵抗効果素子および磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-307797 Applicant：株式会社日立製作所

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