レジストパターンの形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：阿形明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998113585
Publication number (International publication number)：1999305440
Application date： Apr. 23, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】高感度化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用い、マスクパターンに忠実で断面形状の良好な超微細レジストパターンを、効率よく形成する方法を提供する。【解決手段】基板上に、特定の構造の共重合体樹脂成分と、酸発生剤として、炭素数1〜10のフルオロアルキルスルホン酸イオンをアニオンとして含むオニウム塩とを含有してなる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布し、120〜140°Cの温度で乾燥処理後、マスクパターンを介して露光したのち、上記乾燥処理温度より低く、かつ110〜130°Cの温度で加熱処理し、次いで現像処理して、レジストパターンを形成させる。

Claim (excerpt)：

基板上に、(A)ヒドロキシル基含有スチレン単位50〜85モル%、スチレン単位15〜35モル%及び酸により脱離可能な溶解抑制基をもつアクリル酸又はメタクリル酸エステル単位2〜20モル%からなる共重合体樹脂成分と、(B)酸発生剤として、炭素数1〜10のフルオロアルキルスルホン酸イオンをアニオンとして含むオニウム塩とを含有してなる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布し、120〜140°Cの温度で乾燥処理後、マスクパターンを介して露光したのち、上記乾燥処理温度より低く、かつ110〜130°Cの温度で加熱処理し、次いで現像処理することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (6)：

G03F 7/039 601 , G03F 1/08 , G03F 7/004 503 , G03F 7/027 502 , G03F 7/029 , H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/039 601 , G03F 1/08 A , G03F 7/004 503 A , G03F 7/027 502 , G03F 7/029 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-270332 Applicant：日本合成ゴム株式会社
感光性耐食膜組成物および方法ならびに同組成物を含む工業製品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-043762 Applicant：シプレイ・カンパニー・リミテッド・ライアビリティー・カンパニー
新規なコポリマーとコポリマー樹脂バインダー成分からなるフォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-188849 Applicant：シップレーカンパニーエルエルシー

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