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J-GLOBAL ID：200903014059087408

光エネルギー変換装置及び半導体光電極

Inventor： 徳江 潤也 ,  小林 直樹
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 電気通信大学
Agent (2)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006064575
Publication number (International publication number)：2007239048
Application date： Mar. 09, 2006
Publication date： Sep. 20, 2007
Summary：

【課題】光エネルギー変換装置における窒化物半導体を用いた半導体光電極の劣化防止を図る。【解決手段】互いに電気的に接続された半導体光電極15と対向電極16を有し、半導体光電極15が表面に酸化チタン膜19を成膜した窒化物半導体18で形成され、対向電極16及び半導体光電極15が溶液13中に配置されて成る。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

互いに電気的に接続された半導体光電極と対向電極を有し、 前記半導体光電極が表面に酸化チタン膜を成膜した窒化物半導体で形成され、 前記対向電極及び前記半導体光電極が溶液中に配置されて成る ことを特徴とする光エネルギー変換装置。

IPC (6)：

C25B 11/06 ,  B01J 35/02 ,  H01L 31/08 ,  B01J 27/24 ,  C25B 9/00 ,  C25B 1/04

FI (6)：

C25B11/06 B ,  B01J35/02 J ,  H01L31/08 ,  B01J27/24 M ,  C25B9/00 ,  C25B1/04

F-Term (36)：

4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA48A ,  4G169BB11A ,  4G169BB11B ,  4G169BC50A ,  4G169BC50B ,  4G169CC31 ,  4G169CC33 ,  4G169EA07 ,  4G169FB14 ,  4G169HA01 ,  4G169HB01 ,  4G169HD05 ,  4G169HD07 ,  4G169HE09 ,  4K011AA04 ,  4K011AA20 ,  4K011AA66 ,  4K011CA13 ,  4K011DA01 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021BC08 ,  4K021DA13 ,  4K021DB18 ,  4K021DB31 ,  4K021DB40 ,  4K021DC03 ,  4K021EA03 ,  5F088AA02 ,  5F088AB01 ,  5F088AB07 ,  5F088AB17 ,  5F088CB20 ,  5F088DA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ガス発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-215952   Applicant：科学技術振興事業団

Cited by examiner (4)

• 特開昭50-115178
  
• 酸化チタン薄膜の製法並びに該薄膜を用いた光化学反応器の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-219992   Applicant：株式会社日立製作所, 財団法人地球環境産業技術研究機構
• 可視光型光触媒及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-113147   Applicant：有限会社環境デバイス研究所
• 特開昭50-115178
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Semiconductor Electrodes