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J-GLOBAL ID：200903014085142786

FeSi2の製造方法

Inventor： 関 壽 ,  纐纈 明伯 ,  熊谷 義直 ,  三浦 祥紀 ,  竹本 菊郎 ,  元木 健作
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000085170
Publication number (International publication number)：2001274098
Application date： Mar. 24, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】 炭素汚染を防止できると共に量産性に優れたFeSi2の製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明のFeSi2の製造方法は、Feのハロゲン化物とSiのハロゲン化物又は水素化物とを反応させて、種結晶10上にFeSi230を気相エピタキシャル成長させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

Feのハロゲン化物とSiのハロゲン化物又は水素化物を反応させて、種結晶上にFeSi2を気相エピタキシャル成長させることを特徴とするFeSi2の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/52

FI (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 29/52

F-Term (25)：

4G077AA03 ,  4G077BE05 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EC09 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077TB02 ,  4G077TB03 ,  4G077TB13 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  5F045AA02 ,  5F045AB30 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC16 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045CA09 ,  5F045DP04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-136971
  
• 特開平1-146361
  
• 化合物薄膜成膜方法およびこの方法を実施する装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-290437   Applicant：日本航空電子工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Selective and epitaxial deposition of β-FeSi2 on silicon by rapid thermal processing-chemical vapor