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J-GLOBAL ID：200903014088209482
スピンバルブ構造およびその形成方法、並びに再生ヘッドおよびその製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三反崎 泰司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001239135
Publication number (International publication number)：2002124721
Application date： Aug. 07, 2001
Publication date： Apr. 26, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ヘッド特性を十分に向上させることが可能なスピンバルブ構造およびこれを適用した再生ヘッドを提供する。【解決手段】 基体21上に、シード層22,ピンニング層33,シンセティック反強磁性ピンド層34,スペーサ層25,NiFeおよびこれより厚みの薄いCoFeよりなる極薄のフリー層35,高導電層36,鏡面反射層37,保護層38がこの順に積層されてなるボトムSF-SyAFSV(スピンフィルターシンセティック反強磁性スピンバルブ)構造を構成する。このボトムSF-SyAFSV構造が適用された再生ヘッドでは、センサ感度および出力信号強度が十分に確保される。
Claim (excerpt)：
基体上に、磁気抵抗効果を高めるためのシード層を形成する第1の工程と、このシード層上に、ピンニング層を形成する第2の工程と、このピンニング層上に、シンセティック反強磁性ピンド層を形成する第3の工程と、このシンセティック反強磁性ピンド層上に、非磁性の銅(Cu)よりなるスペーサ層を形成する第4の工程と、このスペーサ層上に、1.0nm未満の厚みのコバルト鉄(CoFe)層および1.0nm以上3.0nm以下の範囲内の厚みのニッケル鉄(NiFe)層を含むようにフリー層を形成する第5の工程と、このフリー層上に、高導電性の銅よりなる高導電層を形成する第6の工程と、この高導電層上に、鏡面反射層を形成する第7の工程と、この鏡面反射層上に、酸化アルミニウム(Al2 O3 )よりなる保護層を形成する第8の工程と、全体をアニールする第9の工程とを含むことを特徴とするスピンバルブ構造の形成方法。
IPC (7)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/30
, H01F 10/32
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/30
, H01F 10/32
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA09
, 5D034BA12
, 5D034BA17
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049DB12
Cited by examiner (5)
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