Pat
J-GLOBAL ID:200903014216534235
エピタキシャル成長層の形成方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
花村 太
, 佐藤 正年
, 佐藤 年哉
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2006520718
Publication number (International publication number):2006528592
Application date: Jul. 07, 2004
Publication date: Dec. 21, 2006
Summary:
本発明はエピタキシャル成長層(6)の形成法に関する。この方法は、a)支持基板(1)内に原子種を注入して基板内に薄肉支持層(13)と基板残余部分(11)との境界を画定する脆弱ゾーン(12)を形成する工程、b)薄肉支持層(13)の表面に直接又はその上に移載された中間層(5, 23, 31, 31)を介してエピタキシーを行うことによりエピタキシャル成長層(6)を成長させる工程、及びc)外部エネルギーの意図的な印加により脆弱ゾーン(12)に沿って基板残余部分(11)を薄肉支持層(13)から分離する工程を備えたことを特徴とする。光学、光電子工学又は電子工学分野で利用される。
Claim (excerpt):
光学、光電子工学又は電子工学分野で利用されるエピタキシャル成長層(6、6’)を形成する方法であって、
i)支持基板となる第1基板(1、1’)の内部に原子種を注入することにより支持基板内で薄肉支持層となる薄層(13、13’)と支持基板の残余部分(11、11’)との境界を画定する脆弱ゾーン(12、12’)を形成する工程、
ii)薄肉支持層(13、13’)の表面に直接にエピタキシーを実行することによりエピタキシャル成長層(6,6’)を成長させる工程、
iii)外部エネルギーの意図的な印加により支持基板内の脆弱ゾーン(12、12’)に沿って支持基板(1、1’)の残余部分(11、11’)を薄肉支持層(13、13’)から分離する工程、及び
iv)薄肉支持層(13、13’)を除去してエピタキシャル成長層(6、6’)を得る工程、
を備えたことを特徴とするエピタキシャル成長層の形成方法。
IPC (5):
C30B 25/18
, C30B 29/38
, C30B 29/36
, H01L 33/00
, H01L 21/205
FI (5):
C30B25/18
, C30B29/38 D
, C30B29/36 A
, H01L33/00 A
, H01L21/205
F-Term (24):
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077DB08
, 4G077ED06
, 4G077EE05
, 4G077EE06
, 4G077EE08
, 4G077EF01
, 4G077FJ03
, 4G077HA01
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 5F041AA40
, 5F041CA33
, 5F041CA40
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F045AB06
, 5F045AB14
, 5F045BB12
, 5F045HA05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (5)
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単結晶基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-295703
Applicant:HOYA株式会社
-
窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-370391
Applicant:日立電線株式会社
-
半導体の結晶成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-036568
Applicant:豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
-
単結晶ウエハおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-028171
Applicant:株式会社イオン工学研究所
-
窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-149892
Applicant:日亜化学工業株式会社
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