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J-GLOBAL ID:200903031321286273
単結晶基板の製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人特許事務所サイクス (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001295703
Publication number (International publication number):2003095798
Application date: Sep. 27, 2001
Publication date: Apr. 03, 2003
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】結晶層又は基板を板状に分割する方法を利用し、炭化珪素等の大面積で低面欠陥密度の単結晶基板を製造することができる方法を提供する。【解決手段】第1の基板の一方の主表面の全面または少なくとも一部の面に破断層を形成する工程、前記第1の基板の破断層上に第2の単結晶層を、自立可能な強度を有する厚さに形成する工程、及び前記第1の基板に形成された破断層において切断し、第2の単結晶層を第1の基板から分離して単結晶基板を得る工程を含む単結晶基板の製造方法。破断層を形成する工程は、(1)イオン注入をしてイオン注入層を形成する工程、(2)陽極酸化により多孔質層を形成する工程、をとることができる。
Claim (excerpt):
第1の基板の一方の主表面の全面または少なくとも一部の面に破断層を形成する工程、前記第1の基板の破断層上に第2の単結晶層を形成する工程、及び前記第1の基板に形成された破断層において切断し、第2の単結晶層を第1の基板から分離して単結晶基板を得る工程を含む単結晶基板の製造方法。
IPC (4):
C30B 29/36
, C23C 16/01
, H01L 21/265
, H01L 21/205
FI (4):
C30B 29/36 A
, C23C 16/01
, H01L 21/205
, H01L 21/265 Q
F-Term (34):
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077BE08
, 4G077DB05
, 4G077EA02
, 4G077ED06
, 4G077EE01
, 4G077FJ03
, 4G077HA06
, 4G077TB04
, 4G077TF01
, 4K030AA03
, 4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030BA48
, 4K030CA04
, 4K030DA02
, 4K030FA10
, 4K030HA01
, 4K030JA01
, 4K030LA12
, 5F045AA06
, 5F045AB06
, 5F045AC03
, 5F045AC07
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AD17
, 5F045AD18
, 5F045AE17
, 5F045BB12
, 5F045GH08
, 5F045HA15
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
-
薄膜単結晶デバイスの製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-200531
Applicant:キヤノン株式会社
-
特開昭52-077897
-
特開昭52-090496
-
特開平3-126697
-
酸化膜のための結晶成長リフトオフ方法およびその結果の構造
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平7-516927
Applicant:スーパーコンダクター・テクノロジーズ・インコーポレイテッド
-
ダイヤモンド及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-218558
Applicant:住友電気工業株式会社
-
単結晶ウエハおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-028171
Applicant:株式会社イオン工学研究所
-
炭化珪素膜及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-288844
Applicant:ホーヤ株式会社
-
窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-370391
Applicant:日立電線株式会社
-
多孔質膜を用いた半導体基板の作製法および半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-228215
Applicant:キヤノン株式会社
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特開昭52-077897
-
特開昭52-090496
-
特開平3-126697
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