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J-GLOBAL ID：200903014344025211

表示装置の製造方法および表示装置

Inventor：
佐藤 千代子

About 佐藤 千代子

, 
花輪 幸治

About 花輪 幸治

, 
平野 貴之

About 平野 貴之


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004140799
Publication number (International publication number)：2005322564
Application date： May. 11, 2004
Publication date： Nov. 17, 2005
Summary：
【課題】各有機EL素子の非発光欠陥が低減可能であり、発光寿命も長く、生産性にも優れた表示装置の製造方法および表示装置を提供する。【解決手段】基板上の絶縁膜に配列形成された複数の画素開口Wと、絶縁膜16の一部を上方に突出してなるリブ16aとを備え、画素開口W内に、下部電極15と上部電極とで有機層18を挟持してなる素子が設けられた表示装置の製造方法および表示装置であって、基板上に各素子に対応する複数の下部電極15を形成する工程と、下部電極15を覆う状態で、基板上に絶縁膜16を形成する工程と、露光量を部分的に制御したパターン露光を行うリソグラフィ処理により、絶縁膜16に下部電極15に達する画素開口Wを形成するとともに、画素開口W間の絶縁膜16の上部を部分的に除去した段差形状とすることで、絶縁膜16の一部を上方に突出してなるリブ16aを形成する工程とを有する表示装置の製造方法および表示装置である。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
基板上の絶縁膜に配列形成された複数の画素開口と、前記絶縁膜の一部を上方に突出してなるリブとを備え、前記画素開口内に、下部電極と上部電極とで有機層を挟持してなる素子が設けられた表示装置の製造方法であって、 前記基板上に前記各素子に対応する複数の前記下部電極を形成する第1工程と、 前記下部電極を覆う状態で、前記基板上に前記絶縁膜を形成する第2工程と、 露光量を部分的に制御したパターン露光を行うリソグラフィ処理により、前記絶縁膜に前記下部電極に達する前記画素開口を形成するとともに、当該画素開口間の前記絶縁膜の上部を部分的に除去した段差形状とすることで、当該絶縁膜の一部を上方に突出してなるリブを形成する第3工程とを有する ことを特徴とする表示装置の製造方法。
IPC (4)：
H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22
FI (4)：
H05B33/10 ,  H05B33/12 B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z
F-Term (5)：
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
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