スピンオンガラス組成物及びこれを利用した半導体装置のシリコン酸化膜の形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001026024
Publication number (International publication number)：2001319927
Application date： Feb. 01, 2001
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】スピンオンガラス組成物およびこれを利用した半導体装置のシリコン酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】スピンオンガラスを利用して、アスペクト比が高くVLSI級の配線層間のギャップを埋立することができCVD酸化膜と実質的に同一な特性を有する半導体装置のシリコン酸化膜の形成方法である。上面にトレンチ12が形成された基板10の上に構造式が-(SiH2NH)n-(式中、nは正の整数である)であり重量平均分子量が4000から8000であり重量平均分子量および数平均分子量の分子量分布が3.0から4.0であるポリシラザンを含むSOG溶液を塗布して、平坦な第1SOG膜を形成する。第1SOG膜を水蒸気雰囲気で硬化して、平坦な表面を有する第1シリコン酸化膜13aを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体製造工程中のシリコン酸化膜の形成に利用されるスピンオンガラス組成物であって、構造式が-(SiH2NH)n-(式中nは正の整数である)であり、重量平均分子量が4000から8000であり、重量平均分子量および数平均分子量の比である分子量分布が3.0から4.0であるパハイドロポリシラザンを10から30重量%と、溶媒90から70重量%とを含むスピンオンガラス組成物。

IPC (6)：

H01L 21/316 , H01L 21/768 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (6)：

H01L 21/316 G , H01L 21/316 P , H01L 21/90 Q , H01L 21/90 K , H01L 27/08 102 C , H01L 27/10 681 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-288652 Applicant：触媒化成工業株式会社
特開平3-232709
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-070119 Applicant：川崎製鉄株式会社

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