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J-GLOBAL ID：200903040126811389

エレクトロニクス被覆組成物

Inventor： アレキサンダー ブライアン カリー ,  キャサリン マリー ヘインズ ,  マイケル ディーン リトル ,  ケイス ウィントン マイケル ,  クリスチン アンドレア シェイバート
Applicant, Patent owner： ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997027080
Publication number (International publication number)：1998017383
Application date： Feb. 10, 1997
Publication date： Jan. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】 貯蔵寿命が長く、粘稠で良好な品質を有する被膜を形成するケイ素含有セラミック前駆物質溶液を提供する。【解決手段】 短鎖線状シロキサン中に溶解したケイ素含有セラミック前駆物質を含む被覆組成物が開示されている。

Claim (excerpt)：

1〜50wt%のケイ素含有セラミック前駆物質、並びに50〜99wt%の構造R3 -(SiR2 -O)n -R3 (ここに、各Rは独立に、水素原子、炭素原子数1〜6のアルキル基、アルケニル基及びアリール基からなる群から選ばれ、nは1〜6である)を有する線状シロキサンを含む被覆組成物。

IPC (4)：

C04B 41/87 ,  C07F 7/08 ,  H01L 21/316 ,  C09D183/04

FI (4)：

C04B 41/87 Z ,  C07F 7/08 X ,  H01L 21/316 G ,  C09D183/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 酸化ケイ素膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-353644   Applicant：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-068842   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-066794   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-052412   Applicant：川崎製鉄株式会社
• シリカ含有セラミックコーティングの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-172968   Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション