Pat

J-GLOBAL ID：200903046630779427

強誘電体不揮発性メモリ

Inventor： 鈴木 真之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995161422
Publication number (International publication number)：1996335672
Application date： Jun. 05, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 強誘電体不揮発性メモリを最適構造で実現する。【構成】 Si基板1上にバッファ層であるMgAl2 O4 薄膜2を介してSrRuO3 薄膜3、Bi2 SrTa2 O9 薄膜4およびSrRuO3 薄膜5を順次積層して強誘電体不揮発性メモリを構成する。Bi2 SrTa2 O9 薄膜4は強誘電体薄膜を構成し、SrRuO3 薄膜3およびSrRuO3 薄膜5はそれぞれ下部電極および上部電極を構成する。Si基板1、MgAl2 O4 薄膜2、SrRuO3 薄膜3、Bi2 SrTa2 O9 薄膜4およびSrRuO3 薄膜5は、相互にほぼ格子整合するように面方位を選ぶ。他の例では、SrRuO3 薄膜3およびSrRuO3 薄膜5の代わりにSr2 RuO4 薄膜を用い、Bi2 SrTa2 O9 薄膜4の代わりに例えば(BaTiO3 )n /(SrTiO3 )m 超格子のような酸化物超格子を用いる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、上記シリコン基板上の酸化物からなるバッファ層と、上記バッファ層上の導電性酸化物薄膜と、上記導電性酸化物薄膜上のビスマス系層状強誘電体酸化物薄膜と、上記ビスマス系層状強誘電体酸化物薄膜上の導電層とを有することを特徴とする強誘電体不揮発性メモリ。

IPC (9)：

H01L 27/10 451 ,  C30B 29/22 ,  C30B 29/22 501 ,  C30B 29/68 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

H01L 27/10 451 ,  C30B 29/22 D ,  C30B 29/22 501 K ,  C30B 29/68 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 特表平7-504784
  
• 特開昭64-065885
  
• 強誘電体容量素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-235330   Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
• 強誘電体ダイオード素子、並びにそれを用いたメモリー装置、フィルター素子及び疑似脳神経回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-055951   Applicant：三菱化学株式会社
• 特表平7-504784
  
• 特開昭64-065885
  
• 強誘電体メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-254378   Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
• 特開平3-108759
  
• 特開平2-238672
  
• 特開平2-094559