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J-GLOBAL ID:200903014717233600
疎水性修飾ポリロタキサン及び架橋ポリロタキサン
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
的場 基憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005284925
Publication number (International publication number):2007091938
Application date: Sep. 29, 2005
Publication date: Apr. 12, 2007
Summary:
【課題】有機溶剤に可溶な疎水性修飾ポリロタキサン及びこれを用いた架橋ポリロタキサンを提供すること。【解決手段】疎水性修飾ポリロタキサンは、環状分子と、この環状分子を串刺し状に包接する直鎖状分子と、この直鎖状分子の両末端に配置され上記環状分子の脱離を防止する封鎖基とを有する。環状分子がシクロデキストリンで、当該シクロデキストリンの水酸基の全部又は一部が疎水性の修飾基で修飾されている。 架橋ポリロタキサンは、この疎水性修飾ポリロタキサンと、ポリマーを環状分子を介して結合して成る。【選択図】なし
Claim (excerpt):
環状分子と、この環状分子を串刺し状に包接する直鎖状分子と、この直鎖状分子の両末端に配置され上記環状分子の脱離を防止する封鎖基とを有するポリロタキサンにおいて、
上記環状分子がシクロデキストリンであり、当該シクロデキストリンの水酸基の全部又は一部が疎水性の修飾基で修飾されていることを特徴とする疎水性修飾ポリロタキサン。
IPC (3):
C08G 85/00
, C08G 63/08
, C08G 65/00
FI (3):
C08G85/00
, C08G63/08
, C08G65/00
F-Term (19):
4J005AA21
, 4J005BD00
, 4J029AA02
, 4J029AB07
, 4J029AC01
, 4J029AE06
, 4J029AE18
, 4J029EG09
, 4J031BA29
, 4J031BB01
, 4J031BB02
, 4J031BC19
, 4J031BD03
, 4J031BD12
, 4J031BD13
, 4J031BD30
, 4J031CA06
, 4J031CD03
, 4J031CD15
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (6)
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