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J-GLOBAL ID：200903014865115373

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
宇佐美 達矢

About 宇佐美 達矢


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999217085
Publication number (International publication number)：2001044202
Application date： Jul. 30, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】 層間絶縁膜にCu拡散バリア性を備える半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 複数のCu配線を有する半導体装置において、Cu配線1とシードCu膜11,メッキCu膜12からなるCu配線とがHSQ(Hydrogen Silsesquioxane)膜3によって分離され、HSQ膜3にはCu配線1とシードCu膜11,メッキCu膜12とを電気的に接続するCuプラグを形成されている。Cuプラグの側壁には、HSQ膜3とCuプラグとの密着性を高めるための密着用メタルであるW(タングステン)膜4が形成されている。
Claim (excerpt)：
複数のCu配線を有する半導体装置において、絶縁膜として少なくとも1部にHSQ(Hydrogen Silsesquioxane)を用いた材料を使用し、そのHSQと接する部分のCu濃度が1019atoms/cm3 以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (4)：
H01L 21/88 M ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 S
F-Term (44)：
5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033WW04 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058AA10 ,  5F058AD01 ,  5F058AD05 ,  5F058AD09 ,  5F058AD10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • デュアル・ダマスク技術
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-135315   Applicant：聯華電子股ふん有限公司, 聯華電子股分有限公司
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-350393   Applicant：富士通株式会社
  • 耐熱金属ライナを有する銅スタッドによる相互接続構造
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-272700   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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