半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998140584
Publication number (International publication number)：1999330075
Application date： May. 07, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 Cuを配線材料として用いる場合に、絶縁膜へのCuの拡散を抑えること。【解決手段】 CF膜21〜24により絶縁膜を形成し、このCF膜21〜24の上に、Ti層とTiC層とからなる密着層29を介してCu配線層25,26を形成する。CuはCF膜21〜24へは拡散していかないので、CF膜21〜24へのCuの拡散が原因となる素子のダメ-ジが抑えられ、半導体装置の質を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたフッ素添加カ-ボン膜からなる絶縁膜と、このフッ素添加カ-ボン膜の上に形成された銅からなる配線層と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 21/314

FI (2)：

H01L 21/88 M , H01L 21/314 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体デバイスおよび相互接続構造の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-173771 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置の密着層及びメタルプラグ形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-092389 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-043561 Applicant：ソニー株式会社

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