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J-GLOBAL ID：200903014957707005

シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

Inventor： 岡 哲史 ,  田村 明威
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社 ,  東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 荒船 良男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002114804
Publication number (International publication number)：2003309070
Application date： Apr. 17, 2002
Publication date： Oct. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】 表面状態が良好なエピタキシャルウェーハを製造することを可能とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 減圧環境に設定した反応容器内におけるシリコン単結晶基板Wの主表面上に原料ガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。反応容器内に、500°C以上800°C未満で塩化水素ガスを導入する塩化水素処理工程を行う。反応容器内のシリコン基板Wを、水素雰囲気中800°C以上1000°C以下で熱処理する水素熱処理工程を行う。反応容器内のシリコン基板Wの主表面上に、550°C以上750°C未満でモノシランガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程を行う。

Claim (excerpt)：

減圧環境に設定した反応容器内におけるシリコン単結晶基板の主表面上に原料ガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させて、シリコンエピタキシャルウェーハを製造するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記反応容器内に、500°C以上800°C未満の温度条件下で塩化水素ガスを導入する塩化水素処理工程と、前記反応容器内のシリコン単結晶基板を、水素雰囲気中800°C以上1000°C以下の温度条件下で熱処理する水素熱処理工程と、前記反応容器内のシリコン単結晶基板の主表面上に、550°C以上750°C未満の温度条件下でモノシランガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程と、を行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。

F-Term (17)：

5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB14 ,  5F045DP19 ,  5F045EG03 ,  5F045HA02 ,  5F045HA06 ,  5F045HA22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 珪素単結晶基板表面の平滑化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-209714   Applicant：信越半導体株式会社
• 薄膜製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-188233   Applicant：株式会社アルバック
• 半導体基板の製造方法及びその使用
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-154250   Applicant：ワッカージルトロニックゲゼルシャフトフュアハルプライターマテリアーリエンアクチエンゲゼルシャフト
• 気相成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-066883   Applicant：信越半導体株式会社