誘電体キャパシタおよび強誘電体メモリ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996348580
Publication number (International publication number)：1998189886
Application date： Dec. 26, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】トランジスタと誘電体キャパシタとを縦方向に並べて配置し、誘電体キャパシタの下部電極をSiまたはWからなるプラグによりトランジスタの拡散層と接続する場合、誘電体キャパシタの誘電体膜の材料として酸化性雰囲気中での高温の熱処理が必要なSBTなどのBi系層状構造ペロブスカイト型強誘電体を用いることができる誘電体キャパシタおよび強誘電体メモリを提供する。【解決手段】強誘電体膜としてSBT膜などのBi系層状構造ペロブスカイト型強誘電体膜を用いる誘電体キャパシタの下部電極を、組成式Pt<SB>1-x-y-z </SB>Ir<SB>y </SB>Rh<SB>z </SB>Ru<SB>x </SB>で表され、その組成範囲が0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、0.3≦x+y+z≦1である材料、例えばPt<SB>1-x </SB>Ru<SB>x </SB>(ただし、0.3≦x≦1)で形成する。

Claim (excerpt)：

組成式Pt<SB>1-x-y-z </SB>Ir<SB>y </SB>Rh<SB>z </SB>Ru<SB>x </SB>で表され、その組成範囲が0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、0.3≦x+y+z≦1である材料からなる下部電極と、上記下部電極上のBi系層状構造ペロブスカイト型強誘電体からなる強誘電体膜と、上記強誘電体膜上の上部電極とを有することを特徴とする誘電体キャパシタ。

IPC (10)：

H01L 27/10 451 , C22C 5/04 , C30B 29/30 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6)：

H01L 27/10 451 , C22C 5/04 , C30B 29/30 B , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-057505 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
白金薄膜、半導体装置及びそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-041534 Applicant：株式会社日立製作所
キャパシタを有する半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-207033 Applicant：富士通株式会社

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