Pat

J-GLOBAL ID：200903015195417353

半導体発光装置の製造方法

Inventor： 森田 悦男 ,  河合 弘治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995337192
Publication number (International publication number)：1997181392
Application date： Dec. 25, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 基板とこれの上に形成する半導体層との劈開面が一致する劈開面を有することのない場合において、半導体層において共振器端面としてすぐれた端面を確実かつ容易に形成することができるようにする。【解決手段】 {11-20}面(a面)を主面とする基板1上に、少なくとも第1のクラッド層6と、発光層7と、第2のクラッド層8とを含む積層構造の半導体層2を形成する工程と、加熱下において、半導体層2と基板1とを一体に破断して上記基板に、{1-102}面(r面)で劈開された面による対の端面を形成するとともに、半導体層2に基板1の上記対の端面に沿う対の端面3を形成する破断工程とを採って目的とする半導体発光装置を構成する。

Claim (excerpt)：

{11-20}面を主面とする基板上に、少なくとも第1のクラッド層と、発光層と、第2のクラッド層とを含む積層構造の半導体層を形成する工程と、加熱下において、上記半導体層と上記基板とを一体に破断して上記基板に、{1-102}面で劈開された面による対の端面を形成するとともに、上記半導体層に上記基板の上記対の端面に沿う対の端面を形成する破断工程とを採ることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-092403   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-106057   Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
• 窒化物半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-006300   Applicant：日亜化学工業株式会社