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J-GLOBAL ID：200903037503799479

窒化物半導体発光素子の製造方法

Inventor： 長濱 慎一 ,  杉本 康宜 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996006300
Publication number (International publication number)：1997219560
Application date： Jan. 18, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【目的】 サファイア基板の上に窒化物半導体が成長されたウェーハより、切断面が平滑なチップの新規な製造方法を提供し、歩留まりよく窒化物半導体発光素子を製造すると共に、またレーザ素子となりうる発光素子を実現する。【構成】 サファイア基板のA面の上に発光する活性層を含む窒化物半導体を成長させた後、そのサファイア基板面のC軸に垂直な方向から58±5 ゚若しくは40±5 ゚の角度で基板を割ることにより、平坦で互いに平行な分割面が得られるのでこの面を共振面としたレーザ素子ができる。

Claim (excerpt)：

サファイア基板のA面の上に発光する活性層を含む窒化物半導体を成長させた後、そのサファイア基板A面をC軸に垂直な方向から58±5 ゚若しくは40±5 ゚の角度で割ることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• サファイアを基板とする半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-248834   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-106057   Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩