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J-GLOBAL ID:200903015403681523
非方形電子チップの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
上野 英夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995256749
Publication number (International publication number):1997082587
Application date: Sep. 08, 1995
Publication date: Mar. 28, 1997
Summary:
【要約】【課題】六方晶あるいは三方晶基板に電子装置を集積したウェーハから高品質の電子チップを切り出す。【解決手段】六方晶あるいは三方晶基板のa面に沿って非方形の電子チップを切り出す。
Claim (excerpt):
六方晶あるいは三方晶結晶基板上に一つあるいは複数の電子装置を集積してなるウェーハを用意し、該ウェーハを前記結晶基板のa面に沿って切断することにより少なくとも一つの前記電子装置と該電子装置を搭載する前記結晶基板とからなる電子チップを得ることを含む非方形電子チップの製造方法。
IPC (2):
FI (2):
H01L 21/02 B
, H01L 21/78 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特開平2-291147
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半導体発光素子、及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-235802
Applicant:株式会社東芝
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サファイアを基板とする半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-248834
Applicant:豊田合成株式会社
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特開昭59-179308
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特開昭55-016405
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窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-295433
Applicant:日亜化学工業株式会社
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