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J-GLOBAL ID：200903015458713238

MIMキャパシタ

Inventor： 吉富 崇 ,  猪原 正弘 ,  君島 秀樹 ,  大黒 達也 ,  蓮見 良治 ,  山口 崇
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000368693
Publication number (International publication number)：2001237375
Application date： Dec. 04, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ダマシンプロセス+Cu配線でのキャパシタのリークを低減する。【解決手段】 MIMキャパシタの第1電極12及び第2電極22Aは、大きな拡散係数を有する金属材料、例えば、Cuから構成される。キャパシタ絶縁膜15と第1電極12の間には、金属材料の拡散を防止する機能を有する板状の第1拡散防止膜14が配置され、キャパシタ絶縁膜15と第2電極22Aの間には、金属材料の拡散を防止する機能を有する板状の第2拡散防止膜16が配置される。第1及び第2電極は、例えば、四角以外の格子状、すのこ状、櫛状を含む形状を有している。

Claim (excerpt)：

金属材料から構成される第1及び第2電極と、キャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜と前記第1電極の間に配置され、前記金属材料を構成する原子の拡散を防止する第1拡散防止膜と、前記キャパシタ絶縁膜と前記第2電極の間に配置され、前記金属材料を構成する原子の拡散を防止する第2拡散防止膜とを具備することを特徴とするMIMキャパシタ。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

F-Term (8)：

5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC07 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038BH10 ,  5F038BH20 ,  5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-043427   Applicant：三菱電機株式会社
• 銅/窒化タンタル/五酸化タンタルの積載構造を有するMOM構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-004534   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• ジュアルダマシ-ンコンデンサを備えた集積回路デバイスおよびこれを製造するための関連する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-006223   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド