ジュアルダマシ-ンコンデンサを備えた集積回路デバイスおよびこれを製造するための関連する方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡部正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000006223
Publication number (International publication number)：2000208743
Application date： Jan. 12, 2000
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】ジュアルダマシーンコンデンサを備えた集積回路デバイスおよびこれを製造するための関連する方法。【解決手段】本発明による集積回路デバイスは、内部に開口部を有する絶縁層とコンデンサを備え、このコンデンサは、積層された、前記開口部に整合する下側電極、前記下側電極に隣接する(を覆う)コンデンサ絶縁層、および前記コンデンサ絶縁層に隣接する(を覆う)上側電極から構成される。このコンデンサは、前記絶縁層の各隣接する上側表面部分と実質的に同一平面となるように形成された実質的に平坦な上側表面を有する。加えて、好ましくは、前記下側電極の端と前記コンデンサ絶縁層の端は、前記コンデンサの上側表面に終端する。さらに、前記コンデンサ絶縁層は、高い誘電定数と高い品質を持ち、絶縁漏れは小さく、しかも、前記上側および下側金属電極によるこのコンデンサ絶縁層の還元を阻止することができる絶縁材から構成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板;前記半導体基板に隣接して設けられた(上面に設けられた)、内部に開口部を有する、絶縁層;および積層された、前記開口部に整合する下側電極、前記下側電極に隣接する(を覆う)コンデンサ絶縁層、および前記コンデンサ絶縁層に隣接する(を覆う)上側電極から構成される集積回路デバイスであって、前記コンデンサが、前記絶縁層の各隣接する上側表面部分と実質的に同一平面となるように形成された実質的に平坦な上側表面を有することを特徴とする集積回路デバイス。

IPC (6)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01G 13/00 , H01L 21/3205 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4)：

H01L 27/10 621 C , H01G 13/00 , H01L 21/88 K , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-235352 Applicant：株式会社東芝
半導体集積回路装置および製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-338592 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-139999 Applicant：日本電気株式会社

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