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J-GLOBAL ID：200903015654638732

シリコンウェーハの評価方法

Inventor： 真島 正樹 ,  音川 孝雄 ,  牛尾 聡
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 菅原 正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998054525
Publication number (International publication number)：1999238773
Application date： Feb. 19, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【課題】 簡便且つ低コストでウェーハ面内全面の迅速な測定が可能なシリコンウェーハの評価方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェーハを、フッ酸、硝酸、ヨウ素又はヨウ化物及び水を含有するエッチング液に浸漬して結晶欠陥部分を選択的にエッチングし、該シリコンウェーハの表面に現れた結晶欠陥を検出する。エッチング液中のヨウ素又はヨウ化物の含有量は、該エッチング液の総液量1リットルに対し0.03g以上であり、フッ酸、硝酸及び水の容量比は(400):(4〜5):(80)である。

Claim (excerpt)：

シリコンウェーハを、フッ酸、硝酸、ヨウ素又はヨウ化物及び水を含有するエッチング液に浸漬して結晶欠陥部分を選択的にエッチングし、該シリコンウェーハの表面に現れたフローパターンを検出することを特徴とするシリコンウェーハの評価方法。

IPC (5)：

H01L 21/66 ,  G01N 1/28 ,  G01N 33/00 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (5)：

H01L 21/66 L ,  G01N 33/00 A ,  H01L 21/308 B ,  G01N 1/28 X ,  H01L 21/306 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平4-251931
  
• SOI基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-171573   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体基板の評価方法および評価装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-275643   Applicant：日本電気株式会社
• 化合物半導体層の評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-246802   Applicant：株式会社ジャパンエナジー