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J-GLOBAL ID:200903015693836282
光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
井上 一 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001397050
Publication number (International publication number):2003197927
Application date: Dec. 27, 2001
Publication date: Jul. 11, 2003
Summary:
【要約】【課題】 品質の高い光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】 光透過性の第1の基板10と、光学的部分22を有する光素子100が複数形成された第2の基板20とを、それぞれの光学的部分22を囲む形状のスペーサ18を介して対向させる。第1の基板10及び第2の基板20を、スペーサ18を介して接続し、それぞれの光学的部分22を封止する。第2の基板20を、1つの封止された光学的部分22を含む個々の光素子100に切断する。
Claim (excerpt):
(a)光透過性の第1の基板と、光学的部分を有する光素子が複数形成された第2の基板とを、それぞれの前記光学的部分を囲む形状のスペーサを介して対向させ、(b)前記スペーサを介して前記第1の基板と前記第2の基板とを接続することによって、前記第1の基板及び前記スペーサによりそれぞれの前記光学的部分を封止し、(c)前記第2の基板を、1つの封止された前記光学的部分を含む個々の前記光素子に切断することを含む光デバイスの製造方法。
IPC (2):
FI (2):
H04N 5/335 Z
, H01L 31/02 A
F-Term (11):
5C024CY47
, 5C024CY48
, 5C024EX43
, 5C024EX52
, 5C024GY01
, 5F088BA18
, 5F088BB03
, 5F088CB17
, 5F088EA04
, 5F088HA11
, 5F088JA12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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赤外線デバイス用集積シリコン真空マイクロパッケージ
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平7-516908
Applicant:ハネウエル・インコーポレーテッド
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イメージセンサ・ボールグリッドアレイ・パッケージ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-090588
Applicant:アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, カスタム・シリコン・コンフィギュレイション・サービシーズ
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-072356
Applicant:キヤノン株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-060652
Applicant:キヤノン株式会社
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