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J-GLOBAL ID：200903015693844579

III 族窒化物半導体素子およびその製造方法

Inventor： 大井 明彦 ,  松井 俊之 ,  鈴木 健 ,  松山 秀昭 ,  上條 洋
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997120240
Publication number (International publication number)：1998303510
Application date： Apr. 23, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】基板や異なるAlx Gay In1-X-Y N の組成変化に起因する応力が小さくクラックが発生しないIII 族窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1s上にAlN または低温成長されたGaN からなるバッファ層2 およびGaN からなるコンタクト層3 が積層され、その上に少なくともAlx GayIn1-X-Y N (0≦x,y かつ 0≦x+y ≦1)で表されるIII 族窒化物からなる層 4〜7が成膜されてなるIII 族窒化物半導体素子において、バッファ層とコンタクト層との間に、前記基板温度が上昇されながら成膜されたIII 族窒化物からなる熱応力緩和層T を介在させる。または、コンタクト層とIII 族窒化物からなる層の間に、Alx1Gay1In1-X1-Y1N (0 ≦x1,y1 、かつx1≦x 、y1≦y)である格子不整合緩和層を介在させる。こととする。または基板をゲルマニウム単結晶とする。

Claim (excerpt)：

基板上にAlN または低温成長されたGaN からなるバッファ層、およびGaN からなるコンタクト層が積層され、その上に少なくともAlx Gay In1-X-Y N (0≦x,y かつ 0≦x+y ≦1)で表されるIII 族窒化物からなる層が成膜されてなるIII 族窒化物半導体素子において、前記バッファ層と前記コンタクト層との間に、前記基板温度が上昇されながら成膜されたAlx Gay In1-X-Y N (0≦x,yかつ 0≦x+y ≦1)で表されるIII 族窒化物からなる熱応力緩和層が介在していることを特徴とするIII 族窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化物系半導体を用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-213410   Applicant：株式会社東芝
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-305257   Applicant：旭化成工業株式会社
• 化合物半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-146101   Applicant：富士通株式会社