半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994193239
Publication number (International publication number)：1996055819
Application date： Aug. 17, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】耐熱性電極として機能する金属-ダイヤモンド接合を有する半導体装置を提供する。【構成】ダイヤモンド-金属部接合を有する半導体装置。該金属部は、融点1000°C以上の第1の金属と、仕事関数5eV以下の第2の金属とを含む2種類以上の成分の複合金属からなる。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド-金属部接合を有する半導体装置であって;該金属部が、第1の金属と第2の金属とを含む2種類以上の成分の複合金属からなり;該第1の金属が融点1000°C以上の高融点金属であり;且つ、該第2の金属が、仕事関数5eV以下の金属であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 , H01L 29/43 , H01L 29/872

FI (2)：

H01L 29/46 B , H01L 29/48 D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-219100 Applicant：株式会社東芝
耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-104766 Applicant：株式会社神戸製鋼所
特開平1-246867

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Cited by examiner (4)

光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-219100 Applicant：株式会社東芝
耐熱性オーミック電極を備えたダイヤモンド薄膜及びその製造方法
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特開平1-246867

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