高耐圧半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003076252
Publication number (International publication number)：2004006723
Application date： Mar. 19, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】優れたスイッチオフ特性を得ることができ、製造が容易な高耐圧半導体装置を提供する。【解決手段】高耐圧半導体装置は、n型の高抵抗半導体層2と、高抵抗半導体層2の一方の面に設けられた低抵抗のn型のソース層3aと、ソース層3aの周囲に設けられたトレンチ5、5 ́と、トレンチ5,5 ́の側面及び底面に設けられたp型のゲート層9と、トレンチ5,5 ́の側面に設けられた側壁絶縁膜10a、10bと、トレンチ5,5 ́の底面のゲート層9に設けられたp型のゲートコンタクト層12と、高抵抗半導体層2の他方の面に設けられた低抵抗のn型のドレイン層1とを具備する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1と第2の主面を有し、前記第1の主面に互いに並列に設けられた細長平面形状の複数の第1のトレンチを有する第1導電型の高抵抗半導体層と、前記高抵抗半導体層の不純物濃度よりも高い濃度で前記第1の主面に設けられ、前記複数の第1のトレンチの内の隣接するトレンチに各々が挟まれた第1導電型の複数の第1の半導体領域と、前記複数の第1のトレンチの各々の側壁及び底部に連続的に設けられた第2導電型の第2の半導体領域と、前記複数の第1のトレンチの各々の前記側壁の前記第2の半導体領域上に設けられた側壁絶縁膜と、前記複数の第1のトレンチの各々の前記底部の前記第2の半導体領域の表面領域に設けられ、前記第2の半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第2導電型の第3の半導体領域と、前記高抵抗半導体層の前記第2の主面に設けられ、前記高抵抗半導体層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第4の半導体領域と、前記複数の第1の半導体領域の各々の上に形成された第1の電極と、前記複数の第1のトレンチの各々を埋め込み前記第3の半導体領域に接触する第2の電極と、前記第4の半導体領域に対して形成された第3の電極と、を具備することを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (6)：

H01L29/80 , H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/74 , H01L29/78 , H01L29/872

FI (6)：

H01L29/80 V , H01L21/28 301B , H01L29/78 652T , H01L29/78 654C , H01L29/74 M , H01L29/48 D

F-Term (39)：

4M104AA03 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD04 , 4M104DD26 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104FF01 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104GG07 , 4M104GG09 , 4M104GG11 , 4M104GG18 , 5F005AA03 , 5F005AC01 , 5F005AC02 , 5F005AF01 , 5F005AF02 , 5F005BA02 , 5F102FA01 , 5F102FB01 , 5F102GC07 , 5F102GC08 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GS09 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC16 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

接合型電界効果半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-330084 Applicant：株式会社日立製作所
静電誘導トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-144031 Applicant：ヒューズ・エアクラフト・カンパニー
埋込ゲート型半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-150955 Applicant：矢崎総業株式会社

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