3-5族化合物半導体およびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000033292
Publication number (International publication number)：2001135828
Application date： Feb. 10, 2000
Publication date： May. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】窒化物系化合物半導体において埋め込み電極として利用可能な特定のパターン形状の導電性材料を埋め込んだ構造を実現し、SIT等のデバイスを作製可能にする。【解決手段】(1)一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される第1の3-5族化合物半導体と、(2)これに接して該第1の3-5族化合物半導体表面の一部を特定のパターン形状で被覆する導電性材料と、(3)該導電性材料で被覆されてない該第1の3-5族化合物半導体表面の露出部と該導電性材料に接して両者を被覆する一般式InuGavAlwN(ただし、u+v+w=1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1)で表される第2の3-5族化合物半導体と、からなる3-5族化合物半導体。

Claim (excerpt)：

(1)一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される第1の3-5族化合物半導体と、(2)これに接して該第1の3-5族化合物半導体表面の一部を特定のパターン形状で被覆する導電性材料と、(3)該導電性材料で被覆されてない該第1の3-5族化合物半導体表面の露出部と該導電性材料とを共に被覆する一般式InuGavAlwN(ただし、u+v+w=1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1)で表される第2の3-5族化合物半導体と、からなることを特徴とする3-5族化合物半導体。

IPC (3)：

H01L 29/80 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01L 29/80 V

F-Term (32)：

5F041CA34 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD15 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045DA53 , 5F045HA16 , 5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GS07 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭60-039872
特開昭63-096966

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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