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J-GLOBAL ID：200902157222568984   Reference number：99A0419825

Optical and Crystalline Properties of Epitaxial-Lateral-Overgrown-GaN Using Tungsten Mask by Hydride Vapor Phase Epitaxy.

水素化物気相エピタクシーによるタングステンマスクを用いたエピタキシャル横方向被覆成長GaNの光学的および結晶特性

Author (9)： SONE H (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  NAMBU S (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  KAWAGUCHI Y (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  YAMAGUCHI M (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  MIYAKE H (Mie Univ., Mie, JPN) ,  HIRAMATSU K (Mie Univ., Mie, JPN) ,  IYECHIKA Y (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  MAEDA T (Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  SAWAKI N (Nagoya Univ., Aichi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 38  Issue： 4A  Page： L356-L359  Publication year： Apr. 01, 1999 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： hydride ,...
Semi thesaurus term： 横方向成長

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (13)：

• 1) H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L2112.
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• 4) T. Nishinaga, T. Nakano and S. Zhang: Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) L964.
• 5) A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai and A. A. Yamaguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L899.

Terms in the title (8)： 水素化物気相エピタクシー ,  タングステン ,  マスク ,  エピタキシャル ,  横方向被覆成長 ,  GaN ,  光学 ,  結晶